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    浅谈变频电源驱动IGBT控制原理

    发布时间: 2021-03-11  点击次数: 100次

    常用的过电流保护措施包括硬件关闭和软件关闭。硬件关闭意味着在检测到过流和短路信号时,页脚的输出为高,门信号被快速阻止以禁用IGBT。但是,一旦检测到过电流信号就关闭了硬件,则输出会连续跳跃,这可能会导致故障。为了提高保护电路的抗干扰能力,在硬件短路保护信号之后,即通过F信号,增加了软件阻断功能。

    变频电源驱动IGBT控制原理是怎样的?

      保护电路设置:如果负载继续短路,则变频器中的这些集成电路可能会使IGBT承受数毫秒的重复高电流脉冲。短路期间的强电流脉冲会危及IGBT的安全,并可能导致不可逆转的损坏。因此,一旦负载短路,应尽可能减少IGBT短路过电流的工作时间,从而应通过外部电路来阻止输入控制信号,以“防止IGBT短路”。持续传输。高电流脉冲。仅集成驱动器电路不足以完全保护IGBT,必须添加辅助保护电路以禁用输入驱动信号。

      IGBT的控制原理(部分或全部)取决于栅极射极电压。

      1、关闭。如果在栅极上施加负偏压或栅极电压低于阈值,则该沟道被禁止,N区域中不会注入空穴,在所有情况下,集电极电流都会随着电流MOsF的快速下降而逐渐减小。开关阶段,因为在开关开始之后,N层中仍然有载流子(少数载流子),剩余电流(工作后的电流)值的减小就完成了

      2、导通。 IGBT硅芯片的结构与功率MOSFET的结构非常相似。主要区别在于IGBT的P增加。

      3、反向阻断。当对收集鼓施加反向偏压时,它会受到反向偏压的控制,并且耗尽层将关闭以扩展到N区域。如果您将该层的厚度减小得太多,将无法实现有效阻断能力。因此,这种可能性非常重要。另一方面,如果您太大地增加了该区域的大小,它将继续增加并增加压降。

      4、激活压降。电导率调制效果降低了电阻Ra并降低了导通状态下的电压降;

      IGBT提供的通用变频电源已经实现了实用化和串行化。讨论了设备的主电路,控制系统的结构以及保持效果,抑制变压器偏磁的方法。给出了单相变频电源的控制电路,控制电路,保护电路和主要技术指标的设计原理。尽管晶闸管的静态静态电源克服了变频单元的许多缺点,但晶闸管的关断取决于负载或附加的关断电路,控制复杂,性能动态也不理想,难以取得新的突破,取得技术成就。

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